Параметрам подложки

Спектральный диапазон ИК спектрофотометров, обычно используемых для измерений толщины эпитаксиальных слоев, лежит в интервале 2...50 мкм. Для получения интенсивной интерференции в этом интервале длин волн рекомендуется при измерениях толщины эпитаксиальных слоев кремния использовать подложку с удельным сопротивлением не превышающим 0,02 Ом·см (N≥2·10¹⁸ см^-3).

В настоящее время широко применяются в микроэлектронике эпитаксиальные структуры со скрытым диффузионным слоем. При изготовлении таких структур на поверхности слаболегированных подложек перед эпитаксиальным наращиванием создается тонкий диффузионный слой. Как и в эпитаксиальных структурах с сильнолегированной подложкой, отражение света и интенсивная интерференция будут наблюдаться, если удельное сопротивление скрытого диффузионного слоя, усредненное по его толщине и определяемое как произведение ρ=R_sd, удовлетворяет критерию R_sd<0,02 Ом·см.

Рис. 7.3. Схема отражения луча света от эпитаксиальной структуры с сильнолегированной подложкой

Однако для структур со скрытым слоем одного этого условия недостаточно, чтобы получаемый спектр отражения можно было интерпретировать на основе однослойной модели интерференции и использовать для определения толщины эпитаксиального слоя рассмотренный алгоритм вычислительных операций. Если толщина скрытого диффузионного слоя недостаточно велика, он становится прозрачным для падающего излучения и отражение света происходит как от границы эпитаксиальный слой — скрытый слой, так и от границы скрытый слой — подложка. Интерференционная картина приобретает сложный характер, так как включает в себя информацию не только о толщине эпитаксиального, но и скрытого слоя.

Рис. 7.4. Интерферограмма от эпитаксиальной структуры со скрытым слоем.

Толщина эпитакоиального слоя 10 мкм; толщина скрытого слоя 5 мкм; концентрация носителей в скрытом слое 1·10¹⁹ см^-3

Для примера на рис.7.4 приведена теоретически рассчитанная интерферограмма для двухслойной структуры, в которой эпитаксиальный и скрытый слой даны в виде ступенчатых функций распределения концентрации примесей. Как видно из рисунка, в интервале коротких длин волн, когда коэффициент экстинкции достаточно мал и прозрачность диффузионного слоя велика, результирующий спектр отражения представляет собой взаимное наложение интерференционных картин, возникающих в результате отражения света от двух границ скрытого слоя. Форма интерференционного спектра зависит от соотношения толщин скрытого и эпитаксиального слоев, и обработка такой интерферограммы по описанному выше алгоритму не дает истинной толщины эпитаксиального слоя.

С увеличением длины волны прозрачность скрытого слоя уменьшается и спектр отражения приобретает форму, соответствующую однослойной модели интерференции. В этом случае спектральное положение интерференционных экстремумов характеризует толщину эпитаксиального слоя. Таким образом, при проведении измерений на структурах со скрытым слоем необходимо использовать длинноволновый участок спектра. Граница этого спектрального диапазона со стороны коротких длин волн определяется толщиной и уровнем легирования диффузионного слоя. Для толщины эпитаксиального слоя d>2 мкм, что на практике соответствует нижнему пределу диапазона толщин, измеряемых методов ИК интерференции, коротковолновая граница рабочего спектрального диапазона не должна опускаться ниже 14 мкм, если скрытый слой имеет минимальную толщину 3 мкм при уровне легирования 5·10¹⁸ см^-3 (ρ=0,01 для кремния n-типа).

С увеличением уровня легирования и толщины скрытого слоя рабочий спектральный диапазон может быть расширен в сторону коротких длин волн.