КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Материнська плата Форм-фактор системної плати – стандарт, визначений розмір системної плати для самого персонального комп'ютера, місця її кріплення до корпуса; розташування у ньому інтерфейсів шин, порти вввода/вивода, разъема центрального процесора (якщо є) і слотів для оперативної пам'яті, і навіть тип вход для підключення блоку живлння. Класифікація системних плат: · сучасні: АТХ, microATX, FlexАТХ, NLX, WTX, CEB; · впроваджуються: Mini-ITX і Nano-ITX, Pico-ITX, BTX, MicroBTX і PicoBTX. Існують системні плати, які відповідають ніяким з форм-факторов. Зазвичай зумовлено бажанням виробника системної плати самостійно виготовляти і навіть периферійні програми до неї, або неможливістю використання стандартних компонентів (так званий «бренд»), наприклад Apple Computer, Commodore, SiliconGraphics, Hewlett Packard, Compaq частіше від інших ігнорували стандарти; 1.2.3. Оперативна пам'ять Оперативна пам'ять – енергозалежна частина системи комп'ютерної пам'яті, у якій тимчасово зберігаються дані і команди, необхідні процесору до виконання їм операції. Оперативно запам'ятовуючий пристрій (ОЗУ) – технічний механізм, реалізує функції оперативної пам'яті. ОЗУ зазвичай буває 1Гб, 2Гб, 4Гб і рідше 8Гб. Оперативна пам'ять буває двох типів: динамічного і статичного. · Пам'ять динамічного типу (DynamicRandomAccessMemory– DRAM). DRAM – економічний вид пам'яті. Для зберігання розряду використовується схема, що складається з одного конденсатора і самого транзистора (у деяких варіаціях конденсаторів два). Такий вид пам'яті вирішує, компактності (там, де у SRAM розміщається один тригер, тобто один біт, можна вмістити вісім конденсаторів і транзисторів). Є й свої мінуси. По-перше, пам'ять з урахуванням конденсаторів працює повільніше, оскільки у SRAM зміна напруги на вході триггера відразу ж потрапляє призводить до зміни його зі стану, то тут для здобуття права встановити одиницю один розряд (один біт) пам'яті з урахуванням конденсатора, цей конденсатор потрібно зарядити, а здобуття права розряд встановити нуль, відповідно, розрядити. І це значно триваліші операції, ніж переключеннятриггера, навіть якщо конденсатор має невеликі розміри. Другий суттєвий мінус – конденсатори схильні до заряду; простіше, згодом конденсатори розряджаються. До того ж розряджаються вони то швидше, що менше їх ємкость. Про те, що розряди у ній зберігаються не статично, а «стікають» динамічно у часі, пам'ять на конденсаторах отримала своє назва динамічна пам'ять. У зв'язку ця обставина, щоб втрачена вміст пам'яті, заряд конденсаторів на відновлення необхідно «регенерувати» через певний інтервал часу. Оскільки для регенерації пам'яті періодично операції з пам'яттю, це істотно знижує продуктивність цього виду ОЗУ. · Пам'ять статичного типу (StaticRandomAccessMemory– SRAM). SRAM– ОЗУ, яке треба регенерувати, називається статичною пам'яттю з довільним доступом. Достоєнство цього виду пам'яті – швидкість. Оскільки тригери зібрані навентилях, а час затримки вентиля обмаль, те й переключення стану триггера відбувається дуже швидко. Цей вид пам'яті не містить недоліків. По-перше, група транзисторів, входять до складутриггера, коштує дорожче, навіть якщо вонивитравляются мільйонами в одній кремнієвої підкладці. З іншого боку, група транзисторів займає вулицю значно більше місця, бо між транзисторами, що утворюють тригер, би мало бути витравлені лінії зв'язку. Використовується в організаціюсверхбистрого ОЗУ, критичного до швидкості роботи.
|